2026年1月11日，据最新市场分析报告显示，全球主要个人电脑制造商惠普正考虑引入中国存储芯片供应商长鑫存储，以应对当前内存供应紧张的局面。此举被视为其优化供应链布局的重要一步。

报告同时提到，尽管惠普有意采用长鑫存储的DRAM产品，但相关终端设备可能不会在全球范围发售，而是计划针对亚欧市场推出特定版本，以规避潜在的政策风险。

有行业分析指出，受三星电子、SK海力士及美光等主要厂商产能调整影响，全球内存供应格局出现变化，这为包括长鑫存储在内的中国半导体企业提供了更多进入国际供应链的机会。在此背景下，中国NAND Flash与DRAM制造商有望获得更广泛的海外品牌客户认可。

公开资料显示，长鑫存储目前已发展成为中国规模领先、技术水平先进、产业链布局完整的DRAM一体化研发与制造企业。在去年11月举行的中国国际半导体博览会上，该公司正式推出新一代DDR5内存芯片，传输速率最高达8000Mbps，单颗颗粒容量可达24Gb，整体性能处于国际先进水平。同时发布的还有涵盖服务器、工作站及个人计算机应用的七大类内存模组产品，全面拓展其在高端市场的应用空间。